NDS8858H
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NDS8858H |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.8A, 10V |
Leistung - max | 1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.3A, 4.8A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | NDS885 |
NDS8858H Einzelheiten PDF [English] | NDS8858H PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NDS8858Honsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|